在9月19日開幕的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士發(fā)表了主題演講，指出合肥長(zhǎng)鑫已將奇夢(mèng)達(dá)的46nm內(nèi)存工藝技術(shù)水平提升到了10nm級(jí)別。

在這個(gè)名為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講中，平爾萱博士談到了內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用以及面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)等問題，其中也涉及到了長(zhǎng)鑫的內(nèi)存技術(shù)來源及改進(jìn)。

長(zhǎng)鑫的技術(shù)來源已經(jīng)不是秘密，此前在GSA+Memory存儲(chǔ)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)破產(chǎn)多年，他們的內(nèi)存技術(shù)實(shí)際上停留在了前幾代的水平，平爾萱博士稱長(zhǎng)鑫已經(jīng)借助先進(jìn)的設(shè)備將奇夢(mèng)達(dá)46nm工藝水平的內(nèi)存芯片推進(jìn)到了10nm級(jí)別。

不過公開報(bào)道中沒有說明平爾萱博士所說的10nm級(jí)別到底是什么水平，理論上20nm之后的都可以叫做10nm級(jí)，但三星是在20nm、18nm之后發(fā)展了1Xnm、1Ynm、1Znm，從1Xnm工藝才開始稱作10nm級(jí)內(nèi)存。

結(jié)合之前的報(bào)道，長(zhǎng)鑫公司今年底會(huì)量產(chǎn)19nm工藝、8Gb核心的DDR4內(nèi)存芯片，不知道這個(gè)內(nèi)存是否就是平爾萱博士所說的10nm級(jí)內(nèi)存。

不論是19nm還是其他工藝的內(nèi)存，總體來說國(guó)內(nèi)公司如果能在年底量產(chǎn)10nm級(jí)別的內(nèi)存，起點(diǎn)還是非常高的，與國(guó)際先進(jìn)水平的差距也就2-3年的樣子，這個(gè)水平相比其他芯片的差距就小太多了。