在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后，EUV工藝是少不了的，但是EUV光刻機價格高達10億一臺，而且產(chǎn)量有限，導致芯片生產(chǎn)成本很高。日本鎧俠公司現(xiàn)在聯(lián)合伙伴開發(fā)了新的工藝，可以不使用EUV光刻機，工藝直達5nm。

　　據(jù)據(jù)日媒報導，鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能，以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影技術(NIL)的量產(chǎn)技術，鎧俠已掌握15nm量產(chǎn)技術，目前正在進行15nm以下技術研發(fā)，預計2025年達成。

　　與目前已實用化的極紫外光(EUV)半導體制程細微化技術相比，NIL更加減少耗能且大幅降低設備成本。

　　因NIL的微影制程較單純，耗電量可壓低至EUV生產(chǎn)方式的10%，并讓設備投資降低至40%。

　　而EUV設備由ASML獨家生產(chǎn)供應，不但價格高，且需要許多檢測設備配合。

　　目前NIL在量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等問題。

　　如果鎧俠能成功率先引進NIL量產(chǎn)技術，可望彌補在設備投資競賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。

　　對鎧俠來說，NAND組件采取3D堆疊立體結(jié)構，更容易因應NIL技術的微影制程。

　　鎧俠表示，已解決NIL的基本技術問題，正在完善量產(chǎn)技術，希望能率先引入NAND生產(chǎn)。

　　根據(jù)DNP說法，NIL技術電路精細程度可達5nm，DNP從2021年春起，根據(jù)設備的規(guī)格值進行內(nèi)部仿真。

　　DNP透露，從半導體制造商詢問增加，顯示不少廠商對NIL技術寄予厚望。

　　而佳能則致力于將NIL技術廣泛應用于制作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設備，供應多種類型的半導體制造商，將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程。

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內(nèi)容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內(nèi)處理完畢。