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    中芯國際:FinFET 工藝已經(jīng)達產,每月 1.5 萬片

      8 月 6 日消息 昨日晚間,中芯國際發(fā)布二季度財報,2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元,同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元,同比增長 62.9%。

      今日上午,中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會議上表示,“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達產,每月 1.5 萬片,客戶多樣化,不同的產品平臺都導入了。(這部分)產能處于緊俏狀態(tài),客戶不斷進來。”

    中芯國際:FinFET 工藝已經(jīng)達產,每月 1.5 萬片

      前不久中芯國際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔任中芯國際研發(fā)副總裁,是公司五大核心人才之一,參與了 FinFET 工藝研發(fā)。此前吳金剛博士離職時,中芯國際發(fā)表公告,表示離職后,吳金剛博士不再擔任公司任何職務。目前公司的技術研發(fā)工作均正常進行,吳金剛博士的離職未對公司整體研發(fā)實力產生重大不利影響。

      目前,臺積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結構,而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結構選擇上,兩者出現(xiàn)分歧。三星選擇采用 GAA 結構,臺積電則出于穩(wěn)健考慮,選擇在第一代 3nm 工藝繼續(xù)沿用 FinFET 技術。

      近日,三星代工廠流片了基于環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構的 3nm 芯片,通過使用納米片(Nanosheet)制造出了 MBCFET(多橋通道場效應管),可顯著增強晶體管性能,主要取代 FinFET 晶體管技術。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營銷主管 Charlie Bae 表示:“基于 GAA 結構的下一代工藝節(jié)點(3nm)將使三星能夠率先打開一個新的智能互聯(lián)世界,同時加強我們的技術領先地位”。

      分析稱,2nm 或將是 FinFET 結構全面過渡到 GAA 結構的技術節(jié)點。在經(jīng)歷了 Planar FET、FinFET 后,晶體管結構將整體過渡到 GAAFET 結構上。根據(jù)國際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS)的規(guī)劃,在 2021-2022 年以后,F(xiàn)inFET 結構將逐步被 GAA 結構所取代。

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