8 月 6 日消息 昨日晚間，中芯國際發(fā)布二季度財報，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長 62.9%。

　　今日上午，中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達產(chǎn)，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進來。”

　　前不久中芯國際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔任中芯國際研發(fā)副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發(fā)。此前吳金剛博士離職時，中芯國際發(fā)表公告，表示離職后，吳金剛博士不再擔任公司任何職務。目前公司的技術研發(fā)工作均正常進行，吳金剛博士的離職未對公司整體研發(fā)實力產(chǎn)生重大不利影響。

　　目前，臺積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結構，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結構選擇上，兩者出現(xiàn)分歧。三星選擇采用 GAA 結構，臺積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝繼續(xù)沿用 FinFET 技術。

　　近日，三星代工廠流片了基于環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構的 3nm 芯片，通過使用納米片(Nanosheet)制造出了 MBCFET(多橋通道場效應管)，可顯著增強晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營銷主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結構的下一代工藝節(jié)點(3nm)將使三星能夠率先打開一個新的智能互聯(lián)世界，同時加強我們的技術領先地位”。

　　分析稱，2nm 或將是 FinFET 結構全面過渡到 GAA 結構的技術節(jié)點。在經(jīng)歷了 Planar FET、FinFET 后，晶體管結構將整體過渡到 GAAFET 結構上。根據(jù)國際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS)的規(guī)劃，在 2021-2022 年以后，F(xiàn)inFET 結構將逐步被 GAA 結構所取代。

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網(wǎng)有任何內容侵犯您的權益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內處理完畢。