8 月 6 日消息 昨日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布二季度財(cái)報(bào)，2021 年第二季度的銷(xiāo)售收入為 13.4 億美元，同比增長(zhǎng) 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長(zhǎng) 62.9%。

　　今日上午，中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬(wàn)片，客戶(hù)多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶(hù)不斷進(jìn)來(lái)。”

　　前不久中芯國(guó)際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔(dān)任中芯國(guó)際研發(fā)副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發(fā)。此前吳金剛博士離職時(shí)，中芯國(guó)際發(fā)表公告，表示離職后，吳金剛博士不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。目前公司的技術(shù)研發(fā)工作均正常進(jìn)行，吳金剛博士的離職未對(duì)公司整體研發(fā)實(shí)力產(chǎn)生重大不利影響。

　　目前，臺(tái)積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結(jié)構(gòu)，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結(jié)構(gòu)選擇上，兩者出現(xiàn)分歧。三星選擇采用 GAA 結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝?yán)^續(xù)沿用 FinFET 技術(shù)。

　　近日，三星代工廠流片了基于環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的 3nm 芯片，通過(guò)使用納米片(Nanosheet)制造出了 MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管)，可顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結(jié)構(gòu)的下一代工藝節(jié)點(diǎn)(3nm)將使三星能夠率先打開(kāi)一個(gè)新的智能互聯(lián)世界，同時(shí)加強(qiáng)我們的技術(shù)領(lǐng)先地位”。

　　分析稱(chēng)，2nm 或?qū)⑹?FinFET 結(jié)構(gòu)全面過(guò)渡到 GAA 結(jié)構(gòu)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在經(jīng)歷了 Planar FET、FinFET 后，晶體管結(jié)構(gòu)將整體過(guò)渡到 GAAFET 結(jié)構(gòu)上。根據(jù)國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖(IRDS)的規(guī)劃，在 2021-2022 年以后，F(xiàn)inFET 結(jié)構(gòu)將逐步被 GAA 結(jié)構(gòu)所取代。

特別提醒：本網(wǎng)信息來(lái)自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們，本站將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)處理完畢。