10nm及更先進(jìn)的制程工藝，目前只有Intel、臺積電和三星實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。

　　日前，Digitimes整理了三大晶圓廠在10nm、7nm、5nm、3nm、2nm的技術(shù)指標(biāo)演進(jìn)對比圖，這里使用的是晶體管密度(每平方毫米晶體管數(shù)量)。

　　10nm時代，Intel做到了每平方毫米1.06億顆晶體管，是臺積電和三星的兩倍。

　　7nm時代，Intel預(yù)估可以做到每平方毫米1.8億顆晶體管，臺積電9700萬顆/平方毫米、三星9500萬顆/平方毫米。

　　5nm時代，Intel預(yù)估可以做到每平方毫米3億顆晶體管，臺積電1.73億顆/平方毫米、三星1.27億顆/平方毫米。

　　這樣來看的話，Intel的10nm相當(dāng)于臺積電/三星7nm、Intel 7nm相當(dāng)于臺積電/三星5nm的說法有一定道理。

　　不過，從5nm可以明顯看出，在晶體管密度上，三星已經(jīng)明顯落后。

　　放眼3nm，臺積電大概可以做到2.9億顆/平方毫米，三星可以做到1.7億顆/平方毫米，三星的指標(biāo)甚至連Intel 7nm都不如。

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內(nèi)處理完畢。