5 月 20 日消息 近日已有多家廠商宣布推出 DDR5 內(nèi)存條，將應用到未來的英特爾 12 代酷睿平臺。根據(jù)外媒 TheElec 消息，三星電子于 5 月 19 日正式宣布推出三款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片(開關電源芯片)，實現(xiàn)高效直流降壓。

　　由于 DDR5 標準將直流供電功能從主板轉(zhuǎn)移至內(nèi)存條，因此每一個內(nèi)存條將額外包含一組 DC-DC 直流變壓電路。這種方式無疑會增加成本，但是能夠保證供電質(zhì)量、提高效率，同時支持內(nèi)存提高電壓超頻。

　　三星表示，新款電源管理芯片具有良好的兼容性，有利于提高內(nèi)存條的可靠性和持久性。三款芯片型號為 S2FPD01、S2FPD02、S2FPC01，均采用了混合門驅(qū)動設計以及新的“異步雙相降壓控制方案”。官方表示，這種技術可以實現(xiàn) 91% 的變壓效率。

　　與此同時，這種電源芯片能夠允許輸出的直流電快速從高電壓降低至低電壓，可以實時變化。該芯片還可以調(diào)節(jié)開關電源的頻率和深度，以防切換模式時出現(xiàn)故障。

　　三星 S2FPD01、S2FPD02 芯片適用于數(shù)據(jù)中心、服務器用的內(nèi)存條，前者適用于低容量內(nèi)存，后者適用于高容量內(nèi)存。S2FPC01 芯片則針對桌面電腦和智能手機設計，體積更小。

　　三星官方表示，這三款電源管理芯片的樣品目前正在發(fā)送給內(nèi)存制造商。

　　▲ 阿斯加特 DDR5 內(nèi)存，可見供電電路

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