即便拋開手機和電腦，當代人的一生依然離不開閃存。這項東芝在上世紀80年代的發(fā)明已經成為舉足輕重的電子元件。現(xiàn)在，KIOXIA鎧俠已經繼承東芝存儲器的衣缽，并將其繼續(xù)發(fā)揚光大。

　　(注：圖片僅供說明)

　　NOR閃存和NAND閃存

　　我們平時討論的閃存通常是指1987年問世的NAND型號閃存，NOR型閃存問世于更早的1984年。當時閃存并非唯一的電子存儲器，在此之前還有EPROM和EERPOM等類似元件， NOR閃存也屬于廣義上的EEPROM(電可擦編程只讀存儲器)，但NOR閃存憑借更低成本和更高容量取代了后者。

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　　出現(xiàn)較晚的NAND閃存則進一步增強了低成本和大容量優(yōu)勢，成為手機、固態(tài)硬盤等電子產品的理想存儲介質。除了常見數(shù)碼和IT產品之外，鎧俠還提供可供5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能以及自動駕駛應用的UFS及eMMC芯片，它們同樣基于NAND閃存，并搭載有智能閃存控制器。

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　　NAND閃存發(fā)展和3D閃存的問世

　　通過制程微縮和MLC技術，閃存的每個存儲單元體積變得更小、每個存儲單元中可容納的數(shù)據(jù)則越來越多，存儲密度不斷發(fā)展，推進閃存從工業(yè)到家庭應用的普及。

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　　不過發(fā)展到10z nm工藝和3bit per cell以后，由于物理大小的限制，已經無法通過傳統(tǒng)的方式繼續(xù)提高閃存密度。東芝在2007年宣布了三維(3D)閃存層疊技術，并在后來推出3D閃存：BiCS Flash。

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　　BiCS閃存具有高密度大容量的優(yōu)點。由于閃存單元之間的空間遠大于傳統(tǒng)2D閃存，減少了單元間耦合效應，BiCS閃存的可靠性比過去更高。由于支持單次編程序列，BiCS閃存的寫入速度更快、使用功耗更低。

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　　通過提高堆疊層數(shù)，3D閃存可以獲得穩(wěn)步的容量增長，2017年6月28日發(fā)布的96層BiCS FLASH在單位面積內可以提供的存儲容量大約是64層BiCS FLASH的1.4倍。使得超過1TB容量的固態(tài)硬盤價格落入大眾玩家可以承受的水平。

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　　鎧俠存儲產品陣容

　　鎧俠擁有全方位的存儲產品陣容，面向個人消費者的產品包括SATA和NVMe固態(tài)硬盤、microSD和SD存儲卡、USB閃存盤等。

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　　SATA接口的鎧俠TC10為入門用戶提供了一個高性價比系統(tǒng)盤替代者，目前TC10 240GB的京東售價僅為259元，參加好評曬單活動還可獲得30元E卡獎勵。

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　　RC10使用獨立緩存設計和單面PCB設計，是輕薄筆記本電腦以及中高端臺式機的好搭檔，5月22日前在京東購買RC10 500GB并按活動要求曬單可有機會獲得50元京東E卡。

　　全新的鎧俠存儲卡色彩鮮明、時尚簡約，通過外包裝可以直接獲得推薦應用場景和設備搭配信息。無論是手機平板、運動相機、行車記錄儀或專業(yè)單反相機，都有與之對應的存儲卡產品可供選擇。即日起至5月22日，在京東購買指定型號的EXCERIA存儲卡并按要求曬單即有機會獲得15元或20元京東E卡獎勵。

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