說起內(nèi)存，對于普通人來說可能并沒有什么好談的，它雖然是電腦中不可或缺的硬件，但只要容量夠大，對游戲和日常使用體驗的影響感知不強。

但對于DIY玩家來說，刷新內(nèi)存頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情。

雖然3600MHz可能就比2400MHz的內(nèi)存玩游戲高那么幾幀，但是這數(shù)字看著就很舒服。

決定內(nèi)存超頻主要的因素有三個，其一搭配CPU的IMC（內(nèi)存控制器），這個主要跟IMC設(shè)計有關(guān)，而且它也和CPU體質(zhì)一樣，同型號每一顆處理器的IMC都會有體質(zhì)上的差異；

其次就是主板和主板BIOS，這就看主板廠商的調(diào)教了；

最后就是取決于內(nèi)存的顆粒，今天曉邊就來帶大家認(rèn)識一下主流的內(nèi)存顆粒，也方便大家買到便宜好用還能超頻的內(nèi)存。

內(nèi)存顆粒之間有何區(qū)別？

為什么內(nèi)存顆粒之間會有體質(zhì)區(qū)別？首先生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商就有很多家，這個應(yīng)該很多DIY玩家都知道了。

這里簡單羅列一下，目前消費市場90%的內(nèi)存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生產(chǎn)。

除此以外還有南亞、華邦和力晶等臺灣廠商也會生產(chǎn)，不過后面這幾家廠商現(xiàn)在主要生產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存的顆粒，消費市場就相對少一點。

內(nèi)存顆粒就是DRAM芯片，每家廠商技術(shù)研發(fā)實力不同，芯片設(shè)計不同，采用的制造工藝也不同，生產(chǎn)出來的芯片質(zhì)量自然也會有差別。

即使是同一家廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，也是會迭代發(fā)展的，比如海力士第一代DDR4內(nèi)存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結(jié)尾的顆粒，民間稱之為MFR顆粒。

這些顆粒能穩(wěn)定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下，但是超頻潛力幾乎沒有，狂加電壓也無法成功。

隨后海力士就推出了以AFR結(jié)尾的顆粒，這代顆粒明顯改善了超頻性能，加壓即可超頻，頻率顯著提升，現(xiàn)在又迭代發(fā)展到第三代的CJR顆粒。

目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些？

那么目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些呢？我們就分廠商來說吧。

海力士

舉例時用了海力士，我們就先談海力士的顆粒。

剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4內(nèi)存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die），25nm制程，MFR顆粒穩(wěn)定耐用，但是超頻能力幾乎沒有，現(xiàn)在還多見于低頻的DDR4內(nèi)存中。

但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質(zhì)，海力士處于了下風(fēng)。

為了改善這一情況，2015年年末開始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三種顆粒，宣告了AFR顆粒（也稱為海力士A-die）的到來。

通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力，只要加電壓頻率上3200MHz并不難，但是體質(zhì)并不算好，高頻下時序也很一般。

海力士CJR顆粒是SK海力士Hynix C-die顆粒，是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒。

采用1X nm（通常為18nm)制程，由于型號“H5AN8G4NCJR”等后綴為CJR的顆粒，所以也稱CJR顆粒。

CJR顆粒體質(zhì)好，更重要的是對近年來大火的銳龍平臺兼容性非常好，上3600MHz輕輕松松，因此成了DIY玩家，特別是AMD平臺玩家的寵兒。

除此以外海力士還推出了更新一代的JJR（J-die）顆粒，但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒，超頻體質(zhì)稍微不如CJR顆粒。

簡單總結(jié)一下，目前市場主流的海力士顆粒中，以體質(zhì)排序CJR>JJR>AFR>MFR,當(dāng)然不排除有個別體質(zhì)好的特例能以下犯上。

三星

三星內(nèi)存顆粒早在DDR3時代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4時代亦是如此，這里就不得不提到三星B-die這個顆粒了。

三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇，大部分為20nm制程，無數(shù)內(nèi)存超頻記錄都是由他完成，是DIY玩家心中的極品顆粒。

三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平臺達(dá)到4000MHz以上頻率更是基本操作，時序還很低，深受玩家喜愛。

不過我們常說的B-die顆粒，其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒。

這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦內(nèi)存的，所以更準(zhǔn)確地說體質(zhì)好的應(yīng)該叫特挑B-die。

剩下的普通B-die 體質(zhì)雖然也很不錯，但是不具備有挑戰(zhàn)超頻記錄的實力，還有一種邊角料的B-die ，這些就是體質(zhì)最差的B-die了。

不過遺憾的是三星上年宣布停產(chǎn)B-die顆粒，一代傳奇就此落幕。

現(xiàn)在市面上已經(jīng)越來越難買到三星B-die顆粒的內(nèi)存了，有也是之前內(nèi)存廠商屯起來用于制造旗艦產(chǎn)品，價格昂貴。

接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die，新的顆粒提升了密度，單顆容量更大，讓成本降低，方便制造單條32GB或更大的內(nèi)存。

而根據(jù)三星所說A-die超能能力與B-die一致甚至更好，容量更大，M-die則次一點。

但是這么好的顆粒三星主要用于專業(yè)市場和服務(wù)器市場，消費市場還沒排到，可能等產(chǎn)能上去了我們普通消費者才能接觸到了。

除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die，這些體質(zhì)就相對一般了。

總結(jié)來說，就討論目前大家能買到的三星內(nèi)存顆粒體質(zhì)，特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die，而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測，就不說了。

鎂光

此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的，一般穩(wěn)定耐用，但是超頻性能沒有三星那么奪目。

鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒，也是鎂光出貨量很大的顆粒，這類顆粒穩(wěn)定耐用，但是別想著能怎么超頻了，買到了默認(rèn)用就好。

除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒，這些降級內(nèi)存顆粒會打上Spectek的大S標(biāo)志，被稱為大S顆粒。

大S顆粒都是鎂光的降級片，但也有好有壞。

舉個例子，鎂光生產(chǎn)3200MHz頻率的內(nèi)存顆粒，把達(dá)不到要求的給Spectek降級成2400MHz標(biāo)準(zhǔn)處理售賣，那你不能說這些顆粒達(dá)不到3200MHz要求就是垃圾顆粒；

但也有些大S顆粒是低端內(nèi)存篩選標(biāo)準(zhǔn)篩選下來的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。

因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨內(nèi)存條喜歡用的內(nèi)存顆粒，不是專業(yè)能熟讀顆粒型號的DIY玩家還是避開比較好。

當(dāng)然，隨著時間推移，鎂光也和海力士一樣奮發(fā)圖強，推出了一批容易上高頻關(guān)鍵價格還不貴的顆粒，它就是最近大火，以5726MHz的成績打破DDR4內(nèi)存超頻記錄的鎂光E-die。

鎂光E-die是鎂光17年末生產(chǎn)的顆粒，只是在三星B-die停產(chǎn)之前沒什么人玩，直到19年才被神通廣大的DIY玩家發(fā)掘出來。

在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大，但電壓要加得比較高，而且時序比較難收窄。

雖然有一些瑕疵，但鎂光E-die最近還是被熱捧，因為目前鎂光E-die主要用于英睿達(dá)的原廠內(nèi)存上，價格最低的只要200多一條，非常實惠，堪稱平民法拉利。

鎂光E-die的顆粒不同型號也會有體質(zhì)上的差異，目前民間實踐過最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。

如果給鎂光的顆粒體質(zhì)排一個順序，大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。

看完各家小結(jié)，大家應(yīng)該都能看懂哪些顆粒比較好了，但是要是三家匯總起來應(yīng)該怎么排序呢？

不慌，這里曉邊就簡單總結(jié)了一個簡易的內(nèi)存顆粒天梯表給大家參考，有需要的小伙伴也可以保存下來。

那么內(nèi)存顆粒怎么看呢？

一般情況下內(nèi)存顆粒表面就有它的編號了，但是現(xiàn)在的內(nèi)存基本都有馬甲，對于一般消費者來說拆開馬甲看顆粒并不現(xiàn)實。

此時一個比較方便的方法就通過軟件Thaiphoon Burner，這個軟件能讀取內(nèi)存的各種信息，下面教一下大家如何使用。

百度下載該軟件后，直接打開，點擊紅框框的Read就能進(jìn)入信息頁面。

我這條就是十銓生產(chǎn)的內(nèi)存，使用的是Hynix海力士的顆粒，顆粒編號以CJR結(jié)尾，型號也寫明了是C-die，很明顯我這條內(nèi)存使用的就是海力士的CJR顆粒了。

以此類推，這條內(nèi)存就是鎂光的D9VPP E-die。

這條內(nèi)存就是三星特挑BCPB的B-die。

不過臺風(fēng)也不完全準(zhǔn)，是基于它的大數(shù)據(jù)估測的，但也八九不離十，大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會更為靠譜一些。

總結(jié)

其實除了少部分發(fā)燒級DIY玩家以外，內(nèi)存顆粒的體質(zhì)對大部分人還是沒什么影響的，一般人買了內(nèi)存回去，開了XMP默認(rèn)用也能很舒服，本篇文章也是面向極小眾的DIY發(fā)燒級玩家。

而對于這部分發(fā)燒友，曉邊最后還給一個選購的建議。

三星的B-die已經(jīng)停產(chǎn)，現(xiàn)在基本只存在與高價的旗艦內(nèi)存中，不必過分強求，鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品。

目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達(dá)內(nèi)存中，某東平臺上自營的英睿達(dá)鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。

目前這款內(nèi)存也是賣到漲價斷貨了，喜歡折騰的玩家可以關(guān)注。