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    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz

    隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。

    西安紫光國(guó)芯是紫光國(guó)微(原來(lái)也叫紫光國(guó)芯,后來(lái)改名為紫光國(guó)微),前身是西安華芯,是奇夢(mèng)達(dá)公司的遺產(chǎn),2009年被浪潮收購(gòu),2015年又被紫光納入旗下。此前該公司在投資者平臺(tái)上表示具備世界級(jí)的DDR內(nèi)存設(shè)計(jì)能力,但沒有生產(chǎn)能力,無(wú)法大規(guī)模量產(chǎn)。

    西安國(guó)芯之前表示今年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場(chǎng),在2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)亮相應(yīng)該意味著他們的DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)完成,開始市場(chǎng)推廣了。

    根據(jù)集邦科技的信息,西安紫光國(guó)芯將展出從顆粒到模組全系列的內(nèi)存產(chǎn)品,包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM顆粒,SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模組產(chǎn)品,和世界首款商用內(nèi)嵌自糾錯(cuò)DRAM,即ECC DRAM產(chǎn)品。

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖1 西安紫光國(guó)芯的DDR4 DRAM顆粒

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖2 西安紫光國(guó)芯的LPDDR4顆粒

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖3 西安紫光國(guó)芯的DDR3 ECC DRAM顆粒

    上面幾款DDR4及DDR3顆粒還只有封裝信息圖,沒有具體實(shí)物,只能等展會(huì)上再說(shuō)了。

    下面的幾個(gè)是西安國(guó)芯的內(nèi)存條,其中有筆記本版的SO-DIMM規(guī)格,也有服務(wù)器版的R-DIMM規(guī)格,還有桌面版的U-DIMM規(guī)格。

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖4 西安紫光國(guó)芯的SO-DIMM內(nèi)存模組,單條4GB

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖5 西安紫光國(guó)芯的U-DIMM內(nèi)存模組,單條容量8GB,頻率2666MHz

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖6 西安紫光國(guó)芯的R-DIMM內(nèi)存模組,單條容量16GB,DDR4-2666頻率

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz
    圖7 西安紫光國(guó)芯的NVDIMM內(nèi)存模組,容量也是16GB,頻率2666MHz

    集邦科技表示,西安紫光國(guó)芯一直專注于存儲(chǔ)器領(lǐng)域,尤其是DRAM存儲(chǔ)器的研發(fā)和技術(shù)積累。該公司在DRAM產(chǎn)品定義、設(shè)計(jì)、測(cè)試、量產(chǎn)和銷售上建立了完整成熟的體系,累計(jì)二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了全球的量產(chǎn)和銷售。

    國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相:?jiǎn)螚l可達(dá)16GB 頻率2666MHz

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