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    DDR5不急 美光大規(guī)模量產1znm DDR4內存:單條16GB

    DDR5內存是下一代標準,三大內存廠商都已經推出了相關產品,不過產品爆發(fā)至少是2021年之后了,現在大家的主力依然是DDR4內存。美光即將量產1znm工藝的DDR4顆粒,相當于12-14nm工藝,可以輕松制造單條16GB內存。

    內存進入20nm節(jié)點之后,制程工藝已經不再具體標明數字,而是用1x、1y、1z來代替,大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm,1Znm工藝相當于12-14nm級別。

    根據美光之前公布的路線圖,實際上1Znm之后還會有1αnm1βnm、1γnm,這樣一來10nm級別就有六種制造工藝了,現在正好演進到到了第三代。

    美光現在量產的主力是1ynm工藝的DDR4顆粒,去年就宣布推出1znmk工藝的DDR4顆粒了,今年正在不斷擴大量產規(guī)模,1znm工藝的內存很快就要成為主力。

    內存工藝微縮意味著可以制造出核心容量更大的產品,1znm內存量產之后,16Gb核心制造更容易,只要8個核心就可以做出單條16GB的內存,滿足目前臺式機及筆記本大內存的需求。

    此外,美光的1znm工藝未來還會用于生產DDR5內存,至少早期的DDR5內存會是這樣。

    DDR5不急 美光大規(guī)模量產1znm DDR4內存:單條16GB

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