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    厲害了!長江存儲宣布128層QLC 3D NAND閃存芯片研發(fā)成功

    4月13日消息,長江存儲今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

    長江存儲表示,X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片X2-9060,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

    據(jù)了解,每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率。

    長江存儲表示,公司用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。

    另據(jù)財聯(lián)社報道,預(yù)計2020年底-2021年中旬陸續(xù)量產(chǎn),目標(biāo)達(dá)到月產(chǎn)能10萬片;供應(yīng)鏈消息透露,這款閃存已送樣。

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